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FMD5N60E5
概述
FMD5N60E5是采用平面自对准技术制备的硅基N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管,降低了导通损耗,改善了开关特性并提高了雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路中,以实现系统小型化并提高效率。 封装形式为TO-252T,符合RoHS标准。
特性
■快恢复体二极管消除了零电压开关应用中对外部二极管的需求
■较低的栅极电荷使得驱动更简单
■更高的阈值电压提供了更好的噪声免疫
■较低的导通电阻
■符合RoHS
封装
TO-252T
数据手册

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